国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN121712025A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,根据一实施方式,半导体装置具备积层膜,该积层膜在第1方向上交替地包含多个第1绝缘膜及多个电极层,且包含非阶梯部、及设置在所述非阶梯部的第2方向上的阶梯部。所述装置还具备包含设置在所述阶梯部内的第2绝缘膜的第1支柱部。所述积层膜包含在所述第1方向上积层的多个部分积层膜,所述第1支柱部包含分别设置在所述多个部分积层膜内的多个部分支柱部。所述多个部分支柱部包含:第1部分支柱部,在俯视时具有第1长径与第1短径,且所述第2方向与所述第1长径的角度小于所述第2方向与所述第1短径的角度;以及第2部分支柱部,在俯视时具有第2长径与第2短径,且所述第2方向与所述第2长径的角度大于所述第2方向与所述第2短径的角度。
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