兆驰半导体申请发光二极管外延结构及其制备方法专利，提高高电流下的散射效率
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2026-03-26 16:15:54
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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种发光二极管外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN121728879A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延结构，包括衬底，在所述衬底上依次层叠石墨烯复合纳米层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述石墨烯复合纳米层包括依次层叠的改性石墨烯层和ZnO子层，所述改性石墨烯层设于所述衬底上，所述ZnO子层设于所述改性石墨烯层上；所述改性石墨烯层经过氮等离子处理，厚度为10nm~100nm；所述ZnO子层的厚度为20nm~200nm。本发明可有效调制异质衬底上生长外延材料的晶格失配位错、残余应力及热失配，提高高电流下的散射效率，提升异质外延材料的辐射复合发生的概率，同时放宽了异质外延的要求。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1615条，此外企业还拥有行政许可61个。
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来源：市场资讯
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