天沐半导体申请一种半导体电镀的退火腔结构专利,晶圆表面退火效果的均匀性好
创始人
2026-03-26 16:20:49
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国家知识产权局信息显示,天沐半导体科技(江苏)有限公司申请一项名为“一种半导体电镀的退火腔结构”的专利,公开号CN121718970A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体电镀的退火腔结构,包括若干个上下设置的退火腔,每个退火腔的一侧开有出风口;均流通道设置在出风口的一侧,均流通道包括主体结构、排气接口和晶圆进出通道;主体结构的内部具有腔体;排气接口与腔体的一端相通;晶圆进出通道设置在主体结构的中部并与出风口相通,晶圆进出通道内对应的腔体的上方和下方设有与腔体相通的均流孔;每个排气接口与分支管道相通;若干个分支管道并联设置在排气管道上。本发明从退火腔排出的气体从均流孔流入腔体,气体再汇流至排气接口后从排气管道排出,腔室内的气体流出的流量均匀,晶圆表面退火效果的均匀性好;分支管道内均设有调节阀使得上下层腔室的退火效果一致。

天眼查资料显示,天沐半导体科技(江苏)有限公司,成立于2024年,位于苏州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1527.777438万人民币。通过天眼查大数据分析,天沐半导体科技(江苏)有限公司专利信息3条,此外企业还拥有行政许可2个。

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来源:市场资讯

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