金融界2025年5月27日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“集成电路结构及其操作方法”的专利,公开号CN120050944A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本公开提供了一种集成电路结构及其操作方法。该集成电路结构包括基底以及第一电阻式存储器字符串。第一电阻式存储器字符串位于基底上方,第一电阻式存储器字符串包括多个存储器单元,多个存储器单元的每一存储器单元包括字线晶体管、栅极以及电阻。字线晶体管包括通道区域、位于通道区域上方的栅极以及位于通道区域的相对两侧的多个源极/漏极区域。电阻位于该字线晶体管上方,并与字线晶体管并联。多个存储器单元的两个相邻的字线晶体管共享同一源极/漏极区域,且利用多个共享的多个源极/漏极区域将多个存储器单元串联。
来源:金融界