上海微阱电子申请硅光芯片及其制造方法专利，提升了硅光芯片的集成度
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2026-04-01 05:51:53
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国家知识产权局信息显示，上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“一种硅光芯片及其制造方法”的专利，公开号CN121772409A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层图形化的介质层；将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键合，得到键合预制体；对键合预制体进行背面引出与钝化，得到硅光芯片。本发明中，将两个耦合光栅之间全部的折射率不均匀的结构去掉，替换为折射率更贴近目标折射率的透光结构，使得光信号可以在硅光芯片的厚度方向上稳定地定向传输，也就使得硅光芯片中的不同结构，可以先设置在不同衬底上，再通过键合的方式堆叠在一起，并提升了硅光芯片的集成度，更加有利于器件的小型化。
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来源：市场资讯
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