南亚科技申请包括位元线结构的半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构及其制备方法
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2025-05-27 22:06:42
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括位元线结构的半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120050927A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基座结构、一位元线结构以及一间隙子。该位元线结构设置在该基座结构上方。该间隙子设置在该位元线结构周围，并包括一第一层、一第二层和一第三层。该第三层设置在该第二层上方。该第三层的一宽度基本上等于该第二层的一宽度。
来源：金融界
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