浙江创芯申请半导体结构及存储结构形成方法专利，填充能力更强
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2025-05-27 22:06:57
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及存储结构的形成方法”的专利，公开号CN120050936A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种半导体结构及存储结构的形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括：第一栅极层，第一栅极层沿第一方向延伸，至少2个第一栅极层沿第二方向排列；介质层，介质层位于第一栅极层上；在基底上形成第二栅极材料层；在第二栅极材料层上旋涂填充层；对填充层进行图形化，露出部分第二栅极材料层；以图形化后的填充层作为掩膜，刻蚀所露出的第二栅极材料层，形成第二栅极层，第二栅极层位于介质层上。填充层通过旋涂方式形成，填充层具有相当流动性，填充层的填充能力更强，能够有效保证相邻第一栅极层之间沟槽的充分填充，能够有效保证填充层图形化的精度，能够有效提高所形成第二栅极层的形貌和质量。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息310条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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