铨心半导体申请具有边缘侧互连的半导体封装专利，两个相邻IC结构之间设置向上延伸导热层
创始人
2026-05-12 21:45:48
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国家知识产权局信息显示，铨心半导体异质整合股份有限公司;钰创科技股份有限公司申请一项名为“具有边缘侧互连的半导体封装及半导体封装组合件以及其形成方法”的专利，公开号CN122028773A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开揭露一种具有边缘侧互连的半导体封装及半导体封装组合件以及其形成方法。一种集成电路(IC)堆叠包含：多个彼此水平分离的集成电路(IC)结构，其中每一IC结构包括顶面、与顶面相对的底面及四个侧壁，其包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁及第四侧壁；其中底面或顶面的面积大于任一侧壁的面积；横向延伸RDL结构，其覆盖该多个IC结构的每一第一侧壁；及两个相邻IC结构之间的向上延伸导热层。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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