罗姆申请氮化物半导体装置专利，提供具备特定结构的氮化物半导体装置
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2025-05-28 12:33:55
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“氮化物半导体装置”的专利，公开号CN120052069A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，本发明提供氮化物半导体装置(10)，具备第一氮化物半导体层(16)、形成在第一氮化物半导体层(16)上并且具有比第一氮化物半导体层(16)的带隙大的带隙的第二氮化物半导体层(18)、以及形成于第二氮化物半导体层(18)的上方的栅电极(32)、源电极(24)以及漏电极(26)。第一氮化物半导体层(16)是包含GaN的层。第一氮化物半导体层(16)的针对(102)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1100arcsec以上且1400arcsec以下。
来源：金融界
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