中科（深圳）无线半导体申请具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法专利，属于半导体技术领域_行业新闻

中科（深圳）无线半导体申请具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法专利，属于半导体技术领域

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2025-06-11 12:37:19

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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法”的专利，公开号CN120129271A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了具有包含氮化铝单晶的阻挡层的半导体结构及其生长方法，属于半导体技术领域，包括：依次叠层设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和氮化铝单晶阻挡层；异质结包括GaN沟道层和氮化铝单晶阻挡层；氮化铝单晶阻挡层内设置有周期性堆叠的AlN超薄量子阱，AlN超薄量子阱距离栅极的第一垂直距离与距离GaN沟道层的第二垂直距离之间的比例关系符合量子力学隧穿效应与半导体极化场理论；AlN超薄量子阱包括多个量子阱单元，每个量子阱单元包括叠层设置的AlN薄层和Al0.5Ga0.5N薄层，AlN超薄量子阱的堆叠周期小于5；GaN沟道层中形成二维电子气。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

企业方法显示量子单晶导体阻挡层包括结构专利氮化沟道层铝单晶中科量子阱

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