美光科技（Micron Technology）近日宣布，将斥资2000亿美元大举投资美国本土，旨在显著提升其DRAM制造与研发能力，并将先进的高带宽内存（HBM）封装技术引入美国。HBM市场的竞争正愈演愈烈，美光加速HBM4研发的同时，三星则在HBM3E认证上面临挑战。此外，美国本土多个半导体制造项目近期遭遇了当地环境审批和社区异议带来的延误，这促使美国当地思索新的解决方案。

美光科技追加投资建厂，扩建升级旧厂，HBM先进封装引入美国

6月12日，美光科技宣布，计划大幅扩大其在美国本土的投资，专注于领先DRAM制造和研发。

根据此次公告，美光计划在其此前投资规划的基础上，再增加约300亿美元的投资（预计总额将达到约2000亿美元），在爱达荷州博伊西建设第二座领先的存储器制造工厂；并对弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂进行现代化改造和扩建；以及将先进的HBM高带宽内存封装能力引入美国本土，以支持AI市场带来的长期增长需求。此外，美光还计划在本土研发领域投入500亿美元，进一步巩固其作为全球存储器技术领导者的长期地位。

此前，美光已宣布在纽约建设一座大型晶圆厂的计划。截至目前，美光在美国的广泛扩张计划涵盖了爱达荷州的两座先进制造工厂、纽约州最多四座先进制造工厂、弗吉尼亚州现有工厂的扩建与现代化升级、先进的HBM封装能力以及旨在推动美国创新和技术领导地位的研发投入。这些投资旨在满足预期的市场需求，维持市场份额，并支持美光将40%的DRAM产能在美国本土生产的目标。

值得注意的是，美光在爱达荷州的两座晶圆厂与其在当地的研发业务协同形成规模经济效应，将大大加速包括HBM在内的尖端产品的上市时间。目前，美光在爱达荷州的首座晶圆厂已实现关键建设里程碑，DRAM产品预计将于2027年开始量产。同时，美光预计将在完成州和联邦环境审查程序后，于今年晚些时候开始纽约新厂的地面准备工作。美光预计爱达荷州的第二座晶圆厂将早于纽约的首座晶圆厂投产。

据悉，美光预计其所有美国投资都将符合“先进制造投资抵免（AMIC）”的条件，并且公司已获得了地方、州和联邦层面的支持，其中包括《芯片法案》高达64亿美元的直接拨款。

HBM竞速，美光与三星加速追赶

根据TrendForce集邦咨询最新研究，由于需求强劲，TrendForce集邦咨询预估2026年HBM市场总出货量预计将突破30Billion Gb，HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐季提高，预计于2026年下半年正式超越HBM3e系列产品，成为市场主流。至于供应商表现，预期SK hynix将以过半的市占率稳居领导地位，Samsung与Micron（美光科技）仍待产品良率与产能表现进一步提升，才有机会在HBM4市场迎头赶上。

目前美光和三星纷纷在HBM新品上发力。6月10日，美光披露其已成功将其12层堆叠的36GB HBM4产品送样给多家主要客户，这一消息表明美光在下一代HBM技术上正加速缩小其与行业领先者SK海力士的差距。美光强调，其HBM4内存具备2048位元界面，每个内存堆叠的传输速率超过2.0 TB/s，性能较前一代产品提升逾60%。该产品旨在赋能下一代AI平台，并计划于2026年量产，以配合客户AI平台的扩产进度。

在当前主流的HBM3E市场，美光也取得了实质性进展。根据美光科技2025财年第二季度财报会议纪要及相关行业分析报告，其HBM3E 8H已成功应用于英伟达的GB200平台，而12层堆叠的HBM3E 12H则将应用于GB300。美光在2025财年第二季度已开始向其第三大HBM3E客户批量出货，并预计未来将增加更多客户。公司乐观预测，2025财年HBM收入将达到数十亿美元。

三星电子作为存储器行业的另一巨头，也在HBM市场积极布局。但据韩媒最新消息，三星在今年6月进行的第三次英伟达（NVIDIA）12层HBM3E产品认证未能通过。下一次认证已定于2025年9月进行。目前关于此消息，三星还未给予回应。

据供应链消息，三星正在对内部架构进行调整，并加速下一代技术的研发与服务模式的创新。据悉，DS部门负责人全永铉正在将三星HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程（PE）及HBM封装等团队。这表明三星正从战略层面更精细化地管理其HBM业务，尤其对定制化HBM寄予厚望，以满足特定客户的差异化需求，并在竞争中寻求突破点。

此外，根据三星代工论坛（SFF）披露的信息及三星财报会议，其HBM4的开发细节如期推进，并已与多家客户洽谈供应定制HBM4，预计将于2026年开始商业供应。此外三星正积极推进下一代HBM4的开发和商业化，该公司已如期推出3D HBM封装服务，试图通过先进的封装技术来提升其在AI芯片价值链中的竞争力，争取在高端市场取得突破。

美国多个芯片制造项目延期，当地探索新策略

据外媒最新消息，由美国政府《芯片法案》资助的多个半导体制造项目在选址和建设过程中，正面临环境评估和当地居民异议所带来的延误。据报道，这些项目包括安靠公司（Amkor）在亚利桑那州的先进封装工厂、美光公司在纽约的DRAM工厂。

公开资料显示，安靠公司计划在亚利桑那州皮奥里亚附近投资20亿美元建设一座先进芯片封装工厂。然而，该计划遭到了维斯坦西亚附近居民的反对。居民方面提出的主要异议包括对水资源消耗增加和交通拥堵加剧的担忧。部分居民已表示考虑采取法律行动，并建议项目另择他址。

尽管安靠的先进封装工厂建成后将拥有超过46451平方米的洁净室空间，被视为对美国本土半导体供应链至关重要的组成部分——该供应链已包含台积电Fab 21工厂及十余家供应商，并预计成为全球最大的先进封装工厂之一。然而，鉴于当地居民的持续异议，该工厂能否按原计划于2027年投产仍存在不确定性。

美光公司计划在纽约州克莱镇斥资1000亿美元兴建的DRAM生产基地，其建设进度同样遭遇挫折。该项目原计划于2040年完工，并预计创造约5万个直接和间接就业岗位。目前，该公司的环境评估已被推迟，公众反馈期也延长至8月。因此，原定于2024年开工的建设工作，在社区提出的异议得到处理之前尚无法启动。

据悉，园区建成后，预计将成为美光公司迄今为止最大的制造基地之一，也是美国最大的半导体工厂之一，规划容纳四间洁净室，总面积约5.57万平方米。尽管该晶圆厂是美光公司扩大其美国生产战略的关键组成部分，初期建设预计在本年代末耗资约200亿美元，为未来更大规模建设奠定基础，但当前的项目延误对美光实现“到2030年在美国生产40% DRAM产量”的目标带来了不确定性。

应对未来类似项目可能出现的延误，美国方面正在探索新的策略。据报道，北卡罗来纳州、宾夕法尼亚州和俄亥俄州等已开始资助预先批准的工业区。这些区域通常已配备必要的基础设施和基本环境许可，旨在简化审批流程，从而提高对半导体公司的吸引力，加速制造业务的启动。

该策略的支持者认为，这种前期准备工作有助于降低项目成本、简化合规流程，并加速供应商的投资承诺。通过提前规划基础设施，各州也能在企业未能履行承诺时，施加相应的处罚，以确保投资责任。