在AI浪潮与国际形势变动的大环境下，半导体产业已成为各国竞争的核心战场。近期，法国总统马克龙在巴黎VivaTech会议期间表示，法国必须掌握2至10纳米先进制程半导体制造能力，在全球科技供应链中占据不可替代的位置。

法国雄“芯”勃勃，台积电、三星或成关键外援

近年，法国不断通过政策扶持、产学研协同与国际合作等方式，力求实现半导体领域突围。目前，该国在半导体领域的优势主要集中在成熟制程和特定应用领域。

“法国2030”投资计划将半导体列为七大颠覆性创新领域之一，明确提出到2030年投入55亿欧元专项资金，其中29亿欧元已落地支持意法半导体与格芯合资的75亿欧元晶圆厂项目。这座位于克罗勒的工厂预计2028年实现满产，年产能达62万片18纳米晶圆，直指汽车电子、物联网等战略市场。

产学研协同方面，格勒诺布尔的CEA-Leti实验室研发的FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术助力意法半导体实现18纳米制程突破，格芯则将其应用于低功耗芯片制造。

不过在先进制程领域，法国半导体产业还有很大发展空间。目前，台积电与三星是全球少有的掌握2纳米至10纳米制程的晶圆代工厂商，并且两家大厂均计划今年量产2纳米芯片。业界认为，法国要想实现生产尖端芯片愿景，最可行路径之一是说服台积电或三星等大厂前往法国设厂。

台积电3nm产能正持续扩张，以满足苹果、英伟达等核心客户需求。台积电2nm（N2）制程将于2025年下半年量产，采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术。相较于3nm（N3E），N2在相同功耗下速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶体管密度增加15%。另外，台积电已规划N2P（性能增强版）和A16（背面供电技术）作为后续节点，其中A16通过将供电网络移至晶圆背面，进一步释放布局空间，适合高性能计算（HPC）场景。

在3nm领域，三星良率低于台积电，不过三星仍获得了部分客户订单。业界认为，未来三星将在2nm领域积极追赶台积电。三星在2025年第一季财报中强调，稳定2纳米GAA制程的良率是目前首要任务，预期下半年展开全面量产，以争取更多下一代制程的主要客户。6月韩媒报道，三星今年年初2纳米芯片良率仅30%，但从上月起已朝着50%目标迈进。

法国能否吸引三星、台积电？尚需解决四大瓶颈

值得一提的是，为应对国际形势变化，晶圆代工大厂愈发注重全球化产能布局，业界指出，这为法国吸引台积电、三星建厂提供了一定可能性，但晶圆厂资金投入与技术门槛极高，法国发力先进制程还需要解决四大瓶颈。

一是补贴与成本平衡，法国需提供比肩德国、美国的补贴力度，同时通过税收优惠、能源成本管控降低综合成本，以吸引晶圆代工厂商投资建厂。

二是技术生态升级，三星与台积电的2纳米制程均采用GAA（全环绕栅极）技术，而法国在这一领域的技术积累和产业链配套仍显不足。

三是市场需求培育，此前法国专注成熟制程领域发展，在AI领域的布局尚未形成规模化需求，未来法国或将通过政策引导（如政府采购、本土AI企业扶持）创造对先进制程的规模化需求。

四是人才与可持续性发展，半导体制造需要大量高技能人才，而法国面临工程师短缺问题。与此同时，先进制程对能源和水资源提出了高需求，这可能与法国的碳中和目标存在潜在冲突。

综上，法国发力先进制程芯片制造的雄“芯”计划仍处于早期阶段，能否实现还需观察法国政策补贴与执行，以及未来台积电、三星等大厂的战略选择。