湖北星辰申请半导体结构及其套刻误差测量方法专利，能够提高两个半导体结构的对准精度
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2025-06-20 13:39:43
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其套刻误差测量方法”的专利，公开号CN120184149A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其套刻误差测量方法，涉及半导体技术领域，更容易检测到第一标识和第二标识相互平行的侧边轮廓，有利于提高测量两者的两条邻边之间的间距的精准度，能够提高两个半导体结构的对准精度。第一半导体结构包括第一标识；第一标识的材料包括导电材料。第二半导体结构设置于第一半导体结构的一侧，包括多个第二标识。第二标识沿第一半导体结构和第二半导体结构的堆叠方向延伸，且一端从第二半导体结构的表面暴露。沿垂直于第一半导体结构和第二半导体结构堆叠的方向，多个第二标识中至少部分第二标识位于第一标识的至少一侧，且与第一标识之间具有间隔。第二标识的至少一条侧边与第一标识的侧边平行。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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