盛吉盛半导体申请半导体工序设备的晶片加热及冷却装置专利，供给到压缩空气，向长轴端部吐出热气，向短轴端部吐出冷气
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2025-06-20 20:38:31
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司申请一项名为“半导体工序设备的晶片加热及冷却装置”的专利，公开号CN120184040A，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体工序设备的晶片加热及冷却装置，包括：上部腔室，形成于负载锁定腔室的腔室本体的内侧上部，工序之前晶片在其内等待；缓冲台，设置于设备前端模块(EFEM)的一侧，从形成于上述负载锁定腔室的上部腔室的下侧的下部腔室排出的工序之后晶片在被移送到上述设备前端模块的负载端口之前投入而被保存；涡流管，设置于上述腔室本体的下侧，供给到压缩空气，向长轴端部吐出热气，向短轴端部吐出冷气；热气流路，与上述涡流管的上述长轴端部和上述上部腔室之间相连接，向上述上部腔室供给热气；以及冷气流路，与上述涡流管的上述短轴端部和上述缓冲台之间相连接，向上述缓冲台供给冷气。

来源：金融界

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