清芯微取得槽栅超结VDMOS器件专利，减少非平衡载流子的注入并使得反向恢复电荷减少
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2025-06-21 11:08:56
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司取得一项名为“一种槽栅超结VDMOS器件”的专利，授权公告号CN223007812U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种槽栅超结VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS器件包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及重掺杂N阱层，其中N阱层与扩散层通过P阱层隔绝；其中，所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、重掺杂P阱层一以及重掺杂P阱层二；所述扩散层通过离子注入不同浓度磷元素形成轻掺杂扩散层一、轻掺杂扩散层二、轻掺杂扩散层三。本实用新型通过在相邻VDMOS元胞之间离子注入形成重掺杂P阱层一，并且由于轻掺杂层具有较低低的电荷导通效果，这样当开关管导通时，由于轻掺杂层和重掺杂P阱层一的约束，从而减少了非平衡载流子的注入并使得反向恢复电荷减少。
天眼查资料显示，北京清芯微储能科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京清芯微储能科技有限公司专利信息39条。
来源：金融界
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