伊诺菲申请可变电阻式存储器制备相关专利，有效解决内部电压太高以及反转速度太慢问题
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2025-07-04 18:38:37
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司申请一项名为“可变电阻式存储器制备方法及可变电阻式存储器”的专利，公开号CN120265113A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件制备领域，提供一种可变电阻式存储器制备方法及可变电阻式存储器，方法包括：在基底上沉积第一介电层；在底电极通孔中沉积底电极层；在第一介电层以及底电极层上沉积阻变层，阻变层的材质包括氮化铝，在阻变层上沉积顶电极层、在顶电极层上沉积介电掩模层，在介电掩模层上沉积光刻胶层；对介电掩模层和顶电极层进行刻蚀；对阻变层进行刻蚀；沉积保护膜层，并在保护膜层上沉积第二介电层，电介质层上设置有金属凹槽。用以解决现有的可变电阻式存储器内部电压太高以及反转速度太慢的缺陷，本申请的方案基于特定工艺，使用氮化铝制备阻变层，可以有效解决上述问题。
天眼查资料显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，伊诺菲（苏州）科技有限公司专利信息3条。
来源：金融界
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