氮矽科技等取得内置电流采样GaN功率器件结构专利，不引入采样电阻准确监控功率管实时电流_行业新闻

氮矽科技等取得内置电流采样GaN功率器件结构专利，不引入采样电阻准确监控功率管实时电流

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2025-07-05 17:09:21

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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，成都氮矽科技有限公司、深圳氮芯科技有限公司取得一项名为“一种内置电流采样的GaN功率器件结构”的专利，授权公告号CN223066171U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种内置电流采样的GaN功率器件结构，采用实用新型提供的结构，主要包括了干组栅极金属、源极金属、漏极金属和第一互连金属单元，第一互连金属单元分别与栅极金属、源极金属和漏极金属连。本方案提供的结构具有内置电流采样管，该采样管与功率管共用栅极和漏极，通过采样管与功率管的栅宽比等于采样管与功率的电流比，通过监控采用管的电流值即流经第七互连金属的电流值即可计算出功率管的电流值，从而在不引入采样电阻的情况下准确监控功率管的实时电流，可以有效避免引入采样电阻带来的功率损耗。此外，采样管与功率管完全相同的工作条件保证了采样管的采样精度。

天眼查资料显示，成都氮矽科技有限公司，成立于2019年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本407.8874万人民币。通过天眼查大数据分析，成都氮矽科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可2个。

深圳氮芯科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳氮芯科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

栅极功率电流采样内置器件电阻监控专利金属电流值

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