苏州优晶半导体申请碳化硅单晶生长装置及原位退火方法专利 促进应力释放
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2025-07-05 17:09:31
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，苏州优晶半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法”的专利，公开号 CN120250160A，申请日期为 2025年06月。
专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法。装置包括坩埚部，坩埚部包括：坩埚本体，用于容纳原料；盖体，盖体的边缘向下延伸至与坩埚本体的上部密封连接，盖体的下表面中央向下延伸形成延伸部，延伸部的下表面用于安装籽晶，延伸部的侧面与盖体的内侧面之间形成第一环形凹槽，盖体的上表面具有沿周向设置的凹部，沿周向设置的凹部的底部和延伸部的侧面在竖直方向上对应设置。
天眼查资料显示，苏州优晶半导体科技股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本5718万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州优晶半导体科技股份有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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