长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法相关专利，有效屏蔽栅极沟槽的底部和槽角的高电场
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2025-07-07 20:39:42
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金融界 2025 年 7 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号 CN120264837A，申请日期为 2025 年 06 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体包括阱区、第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；第一外延层，位于栅极沟槽的底部；第一绝缘层，位于栅极沟槽的侧壁以及第一外延层靠近第一表面的一侧；位于栅极沟槽内且位于第一绝缘层远离半导体本体一侧的栅极；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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