上海邦芯半导体申请半导体结构制造相关专利，实现更高深宽比和更小纳米级尺寸的深硅刻蚀
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2025-07-09 12:39:13
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN120280340A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，申请公开了一种半导体结构制造方法及半导体结构，制造方法包括：使用刻蚀工艺，对衬底进行预设次数的周期性循环刻蚀，在衬底上形成第一中间结构，并对第一中间结构进行第一处理，包括使用第一气体和第二气体，去除第一中间结构侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并与侧壁上存在且露出的凸起部表面的衬底材料反应，生成反应产物层；以及使用第三气体和第四气体，去除反应产物层，以去除至少部分的凸起部；重复执行刻蚀工艺和第一处理工艺，直至在衬底上形成高深宽比刻蚀结构。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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