华虹宏力申请深沟槽电容结构失效分析相关专利，大大提高失效表征成率
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2025-07-09 15:18:15
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽电容结构失效分析方法及系统”的专利，公开号CN120275804A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种深沟槽电容结构失效分析方法及系统，通过电压衬度结合平面研磨技术，对DTC器件沟槽进行剖面的研磨，使得其横截面变得光滑、平整，打开深沟槽的剖面，为后续深沟槽内部的电子束吸收电流提供理想的样品表面，采用纳米探针直接测试电流路径，可以有效定位到传统方法深沟槽器件内部或材料以往无法表征的失效位置，从而大大提高失效表征成率，解决了传统方法无法定位深沟槽深处缺陷的问题。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目906次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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