晶湛半导体申请一种半导体结构制造方法专利，提高半导体结构的可靠性
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2025-07-09 19:10:18
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120282469A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上生长第一半导体层，在第一半导体层远离衬底的一侧刻蚀沟槽，沟槽部分贯穿第一半导体层，在第一半导体层上生长牺牲层后刻蚀牺牲层，重复多次牺牲层的生长和刻蚀，直至沟槽暴露的第一半导体层表面的离子浓度低于预设值，在沟槽中二次外延第三半导体层。通过多次生长牺牲层后刻蚀牺牲层的方法，一方面可以降低沟槽暴露的第一半导体层表面的第一导电类型的离子浓度，以利于在沟槽中生长第二导电类型的第三半导体层，提高第三半导体层的晶格质量，另一方面可以降低第三半导体层生长腔体中的杂质离子浓度，进一步提高第三半导体层的质量，从而提高半导体结构的可靠性。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息305条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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