来源：江苏化工协会

近日，东丽宣布基于其先进的高灵敏度负性配方和专有的光刻胶设计技术成功开发STF-2000光敏聚酰亚胺，该材料可在厚度达200微米的薄膜上实现30微米线宽的精细化加工（深宽比达7），同时，可实现L/S=4μm以下的高分辨率图案，有望应用于新型MEMS器件（包含了传感器等微机电系统）开发。

值得一提的是，该产品符合欧盟等地的环保法规，不含N-甲基吡咯烷酮（NMP）和全氟/多氟烷基物质（PFAS）。预计量产时间为2025年，其厚膜片型的开发也在推进。

STF-2000在使用标准曝光系统（H线）且无需特殊设备的情况下即可形成各种复杂图案，也就是说，东丽的新品无需升级至KrF或ArF等昂贵的光刻系统，可直接在现有产线部署。这大幅降低了企业（尤其是中小型厂商）的技术升级成本。

突破新工艺

东丽是全球正性光敏聚酰亚胺产品市场化最成功的企业之一。从此次公布的新产品特性来看，这一基于负性配方的产品结合了两种光敏聚酰亚胺的多重优势。

STF-2000与丙烯酸酯、环氧树脂两大光固化材料体系对比性能

东丽最新发布的STF-2000采用碱性水溶液显影，能实现深宽比达7的精细微加工，也可应用于以往聚酰亚胺所应用的膜厚10 ～ 30μm的区域，同时保留了该材料在结构上的固有优势，包括优异的耐热性和耐化学性、力学性能、绝缘性和抗X射线。

在半导体加工中，光刻胶和PSPI均可用于图形形成工艺。但二者的根本区别在于：PSPI最终会作为聚酰亚胺薄膜集成到电子器件中，而光刻胶在工艺完成后将被去除。因此，PSPI的设计必须兼顾以下两个关键要素：1）成像性能（灵敏度、分辨率、显影系统、热处理条件（酰亚胺化）等）；2）薄膜特性（机械强度、电学性能、尺寸稳定性、粘附性、纯度）。同时满足这两大性能要求，被视为PSPI开发的重要方向。

此前，传统的负性光敏聚酰亚胺（n-PSPI）无论在光刻精度还是环境友好性方面均不及正性光敏聚酰亚胺（p-PSPI）。这主要体现在：1）p-PSPI具有更高的感光度，可实现厚膜加工，通过提供有效的应力缓解、简化制造流程、改善结构完整性和提升电气特性等方式，对半导体器件的整体性能做出了贡献；2）使用碱性水溶液显影，不仅更好的环境兼容性还避免了有机显影液对PI光刻图形的侵蚀，图形分辨率高；3）可从传统的非光敏PI/正性光刻胶工艺进行移植，不需要复杂的工艺及设备改进。

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