英飞凌取得用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法专利
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2025-07-11 21:10:54
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技有限责任公司取得一项名为“用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法”的专利，授权公告号CN117750773B，申请日期为2018年07月。
来源：金融界
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