华灿光电申请衬底、发光二极管及其制作方法专利，提高了发光二极管的可靠性
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2025-07-12 21:38:30
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“衬底、发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN120302777A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本公开提供了一种衬底、发光二极管及其制作方法。衬底的一面具有图形化结构，图形化结构包括多个图形单元，每个图形单元包括多个凸起，相邻的两个图形单元之间的间距大于同一个图形单元中相邻凸起的间距。图形单元包括多个凸起，相邻的两个所述图形单元之间的间距大于同一个所述图形单元中相邻凸起的间距，从而在对发光二极管芯片进行外延结构图形化，使得外延边缘可以位于相邻图形单元的间隔中，从而保证外延边缘的厚度，减少了在后续激光剥离时气体的冲击力对外延带来的附加损伤，提高了发光二极管的可靠性。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目25次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可57个。
来源：金融界
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