旺宏电子申请半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法
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2025-07-15 09:38:43
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120322000A，申请日期为2024年06月。

专利摘要显示，本公开内容提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基底、底层、铁电材料层及导电层。底层覆盖半导体基底。铁电材料层覆盖底层，其中底层具有朝向铁电材料层的表面，表面具有小于1 nm的均方根粗糙度。导电层覆盖铁电材料层。

来源：金融界

制造 方法 显示 导电 材料 底层 铁电 导体 结构 专利 半导体 导电层

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