金融界2025年7月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有再分布线的半导体装置和半导体封装”的专利,公开号CN120341204A,申请日期为2024年09月。
专利摘要显示,本申请涉及具有再分布线的半导体装置和半导体封装。一种半导体装置包括:半导体芯片,其具有芯片焊盘;再分布线,其设置在半导体芯片上;以及第一介电层,其设置在半导体芯片和再分布线上。再分布线连接到芯片焊盘并且具有引线接合焊盘区段。第一介电层具有暴露引线接合焊盘区段的第一开口。再分布线包括铜层、位于铜层上的镍层和位于镍层上的金层。镍层的侧表面突出超过铜层的侧表面。
来源:金融界