IBM申请具有混合材料可切换区域的相变存储器单元专利，存储电阻状态
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2025-07-19 18:38:34
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有混合材料可切换区域的相变存储器单元”的专利，公开号CN120345399A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种电子设备包括第一电极、第二电极和被配置为存储电阻状态的存储器组件。存储器组件包括被布置成与第一电极直接接触的层状区域和被布置成与第二电极直接接触的块状区域。层状区域包括由第一材料制成的多个第一层和由第二材料制成的多个第二层，多个第一层和多个第二层彼此交替布置。第一材料是相变材料并且第二材料是非相变材料。块状区域是由不同于第一材料和第二材料的第三材料制成的连续块体，并且块状区域与层状区域的至少两个第一层和至少一个第二层直接接触。
来源：金融界
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