长江存储申请一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统专利，提供半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统_行业新闻

长江存储申请一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统专利，提供半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统

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2025-08-05 15:15:19

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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统”的专利，公开号CN120417386A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，该半导体器件包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、第一栅线隔离结构、连接结构和隔离结构。第一堆叠结构包括交替堆叠的层间介质层和层间绝缘层，第二堆叠结构沿第一方向与第一堆叠结构相邻，且包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，栅极层与层间介质层同层设置。第一栅线隔离结构沿第一堆叠结构的堆叠方向贯穿第一堆叠结构，且沿第一方向延伸。连接结构在相邻第一栅线隔离结构之间沿第一方向间隔排列，且连接结构沿堆叠方向的一端与栅极层连接。隔离结构沿堆叠方向贯穿第一堆叠结构，连接结构包括沿第二方向分布的多个子连接结构，且多个子连接结构被隔离结构隔开。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1395次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

企业方法显示栅极方向隔离存储包括结构专利器件栅极层栅线存储器层间

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