昕原半导体取得RRAM下电极结构等相关专利
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2025-08-05 15:16:15
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（杭州）有限公司取得一项名为“RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置”的专利，授权公告号CN115394916B，申请日期为2022年06月。
天眼查资料显示，昕原半导体（杭州）有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本51000万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（杭州）有限公司参与招投标项目7次，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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