极芯拓方申请半导体结构及其制作方法专利，公开一种半导体结构及其制作方法
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2025-08-20 15:08:55
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，极芯拓方技术（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120511248A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括至少一个管芯；管芯包括衬底和多个第一焊盘，多个第一焊盘位于衬底的第一表面上，其中，至少两个第一焊盘彼此连接。
来源：金融界
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