长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，改善器件的宽窄度效应
创始人
2025-08-26 16:06:48
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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120547919A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底的表面具有朝向衬底内部延伸的第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构用于隔离位于衬底的表面的NMOS晶体管区域；第一浅沟槽隔离结构包括：第一沟槽以及位于第一沟槽内依次层叠的第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层，第一氧化层覆盖第一沟槽的内表面，第一氮化层覆盖第一氧化层的内表面，第二氧化层覆盖第一氮化层的内表面并填充第一沟槽；第一浅沟槽隔离结构还包括朝向衬底内部凹陷的第一凹槽结构，第一凹槽结构至少覆盖靠近NMOS晶体管区域的第一氧化层的顶表面，第一凹槽结构包括高介电常数材料。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息478条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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