陛通半导体申请使用高频脉冲电源生长溅射铜膜工艺方法专利，解决填孔能力差问题
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2025-05-20 15:07:16
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司申请一项名为“一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法”的专利，公开号CN120006237A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法，包括以下步骤：提供PVD腔体、晶圆，PVD腔体内设置有靶材、加热器，靶材设置有HIPIMS电源、DC电源，加热器下方设置有一AC电源；晶圆位于加热器上；靶材在HIPIMS电源的情况下，控制PVD腔体的溅射参数；将靶材的电源切换到DC电源，控制PVD腔体的溅射参数：设置功率15‑25kw，AC电源偏压功率100‑300w，直到满足镀铜层的化学和机械抛光，本发明解决了现在大多数磁控溅射腔体，其使用场景大多为平面镀膜，其填孔能力较差，尤其在高深宽比的应用场景时，不能很好的满足制程的需求。
天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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