陛通半导体申请使用高频脉冲电源生长溅射铜膜工艺方法专利,解决填孔能力差问题
创始人
2025-05-20 15:07:16
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金融界2025年5月20日消息,国家知识产权局信息显示,陛通半导体设备(苏州)有限公司申请一项名为“一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法”的专利,公开号CN120006237A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明公开了一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法,包括以下步骤:提供PVD腔体、晶圆,PVD腔体内设置有靶材、加热器,靶材设置有HIPIMS电源、DC电源,加热器下方设置有一AC电源;晶圆位于加热器上;靶材在HIPIMS电源的情况下,控制PVD腔体的溅射参数;将靶材的电源切换到DC电源,控制PVD腔体的溅射参数:设置功率15‑25kw,AC电源偏压功率100‑300w,直到满足镀铜层的化学和机械抛光,本发明解决了现在大多数磁控溅射腔体,其使用场景大多为平面镀膜,其填孔能力较差,尤其在高深宽比的应用场景时,不能很好的满足制程的需求。

天眼查资料显示,陛通半导体设备(苏州)有限公司,成立于2020年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析,陛通半导体设备(苏州)有限公司参与招投标项目3次,专利信息27条,此外企业还拥有行政许可8个。

来源:金融界

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