应用材料申请3D存储器模制膜堆叠专利，提供三维存储器结构及其形成方法
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2025-11-27 11:15:51
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“3D存储器模制膜堆叠”的专利，公开号CN121014268A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本文提供了三维(3D)存储器结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D存储器制造结构包括：基底硅(Si)层；硅锗(SiGe)层，其设置在基底Si层上方；以及经掺杂的硅(Si)层，其设置在SiGe层的至少一侧上，其中经掺杂的Si层含有掺杂剂，所述掺杂剂为碳(C)或硼(B)中的至少一种。
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