华虹半导体（无锡）申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构的性能得到提升
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2025-11-27 11:19:56
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121013345 A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括器件区和边缘区；位于器件区上的若干浮栅结构，若干所述浮栅结构在第一方向和第二方向上阵列分布，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；位于若干所述浮栅结构上的若干第一控制栅结构和若干第二控制栅结构，若干所述第一控制栅结构和若干所述第二控制栅结构平行于第二方向，所述第一控制栅结构和所述第二控制栅结构交替排列，所述第一控制栅结构包括第一部分、转折部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别与所述转折部分的两端连接，所述第一部分和所述第二部分在第二方向上的中线不重合，所述第二部分与所述边缘区相邻。所述半导体结构的性能得到提升。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2941次，专利信息1893条，此外企业还拥有行政许可117个。
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来源：市场资讯
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