兆驰半导体申请发光二极管外延结构及其制备方法和发光二极管专利，提升发光效率
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2025-11-27 20:36:39
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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管”的专利，公开号CN 121013519 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及光电器件领域。发光二极管外延结构包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括交替层叠的InGaN阱层和GaN垒层；每个所述InGaN阱层中，其In组分占比由中心区域向边缘区域呈递减变化。实施本发明，可提升发光效率、波长均匀性。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1574条，此外企业还拥有行政许可61个。
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来源：市场资讯
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