新存科技申请存储器的形成方法和存储器专利，有效提升第一电极层的均匀性和电性均一性
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2025-11-29 09:35:55
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种存储器的形成方法和存储器”的专利，公开号CN121038290A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请涉及一种存储器的形成方法和存储器，其包括提供基底；在存储区的基底上形成间隔排布的堆叠结构和填充于堆叠结构之间的第一介质层，堆叠结构包括：第一导电层、存储结构以及位于存储结构顶部表面的牺牲层；去除各牺牲层，形成相对于第一介质层表面凹陷的多个第一沟槽；在第一沟槽中填充电极材料，形成第一电极层。在第一介质层形成后，通过去除牺牲层然后回填电极材料的方式形成第一电极层，避免了刻蚀多层材料的过程中损伤顶部电极，避免了第一介质层形成过程中对第一电极层发生造成氧化反应和氮化反应，有效提升第一电极层的均匀性和电性均一性，提高了存储器的稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息164条。
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来源：市场资讯
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