物元半导体申请衬底刻蚀方法专利，显著缩小通孔的特征尺寸
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2025-12-01 12:35:58
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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种衬底刻蚀方法”的专利，公开号CN121034953A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明的衬底刻蚀方法首先提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成第一介质层，于第一介质层上形成第二介质层。然后于第二介质层上开设贯穿其厚度的开口。接下来于开口的侧壁上形成侧墙。最后以侧墙为掩膜，刻蚀第一介质层与半导体衬底以形成通孔。通过在开口的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩膜进行刻蚀，可以显著缩小通孔的特征尺寸。这种设计使得通孔的宽度小于开口的宽度，从而实现了特征尺寸的缩小。此外，侧墙的厚度可以通过沉积和刻蚀工艺进行精确控制，从而实现对通孔特征尺寸的精确调整。这种灵活的调整能力使得该工艺能够满足不同器件设计对特征尺寸的严格要求。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可12个。
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