青禾晶元申请低电阻率碳化硅多晶体及其制造方法专利，减少碳化硅多晶体的电阻率波动
创始人
2025-12-02 09:05:45
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国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“低电阻率碳化硅多晶体及其制造方法”的专利，公开号CN121023640A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种低电阻率碳化硅多晶体及其制造方法，所述制造方法包括：第一气体与第二气体进入沉积腔室，在基材的至少一侧表面沉积碳化硅；沉积结束，停止通入第一气体与第二气体，去除所述基材，得到低电阻率碳化硅多晶体；所述第一气体包括载气以及含硅含碳气体；所述第二气体包括含氮气体；所述第二气体进入所述沉积腔室的温度高于所述第一气体进入所述沉积腔室的温度。本发明控制进入沉积腔室时第二气体的温度高于第一气体的温度，在基材上游含氮气体分解形成更高浓度的N元素，使基材上游侧渗入相对更多的单原子，在降低碳化硅多晶体电阻率的前提下，减少了碳化硅多晶体的电阻率波动。
天眼查资料显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司，成立于2022年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可17个。
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