当地时间5月21日，纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作，共同开发基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的800V高压直流（HVDC）电源架构，该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。

图片来源：纳微半导体

当前数据中心普遍采用54V低压配电系统，功率限制在几百千瓦（kW），依赖笨重的铜母线传输电力。随着AI算力需求激增，单个机架功率突破200kW时，传统架构面临效率下降、铜材消耗剧增等物理极限问题。800V架构通过减少铜材使用量45%、降低电流传输损耗，可支撑吉瓦级AI计算负载。

根据纳微半导体官方披露，其GaNFast氮化镓功率芯片与GeneSiC碳化硅技术将在合作中发挥核心作用。其GaNFast™功率芯片集成驱动、控制与保护功能，支持高达800V的瞬态电压，并通过GaNSense™技术实现超高功率密度（92.36W/cm³）和97.9%的半载效率，显著优化了数据中心的能源利用率。

英伟达规划显示，该架构将直接服务于其“Kyber”机架级电力系统，配套维谛技术计划于2026年推出的800VDC电源产品组合，包括集中式整流器、高效直流母线槽及机架级DC-DC转换器。

800V高压技术的应用不仅限于数据中心。新能源汽车领域已率先布局800V平台，以解决充电速度与续航焦虑。例如，保时捷、小鹏、比亚迪等车企已推出相关车型，带动碳化硅器件需求激增。

英伟达与纳微半导体的合作，将AI计算需求与功率半导体创新深度绑定。从数据中心到电动汽车，800V高压架构正成为提升能效、突破功率密度的核心路径。随着技术成熟与产业链协同，这一架构或将重新定义全球半导体及新能源产业格局。

此前5月5日，纳微半导体公布了截至2025年3月31日的未经审计的2025年第一季度财务业绩。数据显示，纳微半导体2025年第一季度总收入为1,400万美元，较2024年同期的2,320万美元和2024年第四季度的1,800万美元有所下降。

图片来源：纳微半导体公告截图

纳微半导体表示预计2025年第二季度净营收为1,400万美元至1,500万美元。非GAAP毛利率预计为38.5%，上下浮动0.5%，非GAAP运营费用预计约为1,550万美元。

稍早一些3月，纳微半导体发布了全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器。4月，纳微半导体宣布与兆易创新科技集团股份有限公司正式达成战略合作伙伴关系。

（文/集邦化合物半导体 竹子 整理）

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