国家知识产权局信息显示,杭州之芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体晶圆基座表面喷砂防击穿加工方法”的专利,公开号CN121043035A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体晶圆基座表面喷砂防击穿加工方法,包括以下步骤:S1:对待修复的晶圆基座凸台表面进行机加工;S2:制作带导电性能的夹芯式覆膜结构,并在夹芯式覆膜结构上留有与待修复部位相匹配的喷砂口;S3:将步骤2中的夹芯式覆膜结构粘接在晶圆基座凸台表面;S4:通过喷砂机对准夹芯式覆膜结构上的喷砂口进行喷砂操作,将晶圆基座凸台表面上待修复部位进行修复;S5:完成喷砂后,取下夹芯式覆膜结构,从而完成加热器晶圆基座凸台表面的修复操作。该加工方法,通过设置带导电性能的夹芯式覆膜结构,能够及时消除因摩擦产生的静电压从而保护产品,大大提高加热器在加工时的合格率,提升生产效率,保证加热器修复使用率。
天眼查资料显示,杭州之芯半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本3699.69万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州之芯半导体有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息31条,此外企业还拥有行政许可3个。
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来源:市场资讯