闪迪申请包括成对存储器器件的半导体器件专利，防止成对存储器管芯翘曲
创始人
2025-12-30 20:07:26
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国家知识产权局信息显示，闪迪技术公司申请一项名为“包括成对存储器器件的半导体器件”的专利，公开号CN121240463A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件，该半导体器件包括一个或多个成对CMOS键合阵列(CBA)管芯。每个成对CBA存储器管芯包括第一CBA存储器管芯和第二CBA存储器管芯。每个CBA存储器管芯包括第一半导体管芯和第二半导体管芯，该第一半导体管芯具有形成在硅衬底上的存储器阵列并且第二半导体管芯具有形成在硅衬底上的CMOS逻辑电路。该成对CBA存储器管芯可彼此面对面附接；即，它们的活性表面彼此面对。在此类配置中，器件层和该硅衬底的不同热膨胀系数相互平衡以防止该成对存储器管芯翘曲。
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