晋华集成电路申请半导体结构及其制备方法专利，提高存储器件性能_行业新闻

晋华集成电路申请半导体结构及其制备方法专利，提高存储器件性能

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2025-12-31 16:36:48

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国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121240442A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、字线沟槽、字线结构以及字线接触插塞。衬底具有存储区与外围区。多个字线沟槽沿第二方向相互间隔的设置在衬底内，字线沟槽在第一方向上由存储区延伸到外围区；字线结构，位于字线沟槽内，字线结构包括金属阻挡层以及金属层，金属阻挡层位于金属层的侧壁以及底部；其中，位于外围区的金属阻挡层顶部与位于外围区的金属层顶部之间具有第一高度差，位于存储区的金属阻挡层顶部与位于存储区的金属层顶部之间具有第二高度差，第一高度差大于第二高度差。字线接触插塞位于外围区，字线接触插塞直接接触金属层的顶部、金属层的侧壁以及金属阻挡层的顶部。本申请可以提高存储器件性能。

天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息988条，此外企业还拥有行政许可76个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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