国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“用于竖直三维(3D)存储器的沟道形成”的专利,授权公告号CN114121956B,申请日期为2021年6月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯
上一篇:海光信息申请功能网络调整方法专利,能够提前预测并规避3DIC设计的芯片中存在的设计规范违例风险
下一篇:中国电子系统取得城市污染汽车尾气排放预测分析方法专利