上海超硅申请绝缘体上半导体及其制备方法专利，降低射频器件中谐波影响
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2026-01-02 12:08:31
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国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“绝缘体上半导体及其制备方法”的专利，公开号CN121240528A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种绝缘体上半导体及其制备方法。该绝缘体上半导体包括依次设置的：衬底层、融合层、富陷阱层、埋氧层和器件层。融合层位于衬底层的一侧，融合层包括迁移元素，迁移元素是基于衬底层的化合物中的元素扩散得到的；富陷阱层位于融合层远离衬底层的一侧；埋氧层位于富陷阱层远离衬底层的一侧；以及器件层位于埋氧层远离富陷阱层的一侧。该绝缘体上半导体的融合层中的迁移元素能够在保证衬底层的电阻率不下降的同时，增强富陷阱层与衬底层的联系，从而提高富陷阱层对杂质捕获能力，降低射频器件中谐波影响。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可193个。
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来源：市场资讯
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