中欣晶圆申请提高重掺单晶硅整棒电阻率均匀性专利，轴向电阻率波动范围控制在±5%以内
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2026-01-05 20:07:38
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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“提高重掺单晶硅整棒电阻率均匀性的制备方法”的专利，公开号CN121250530A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供提高重掺单晶硅整棒电阻率均匀性的制备方法，涉及重掺单晶拉制技术领域，在拉晶过程中，从引晶开始生长至等径第一预定长度，通过第一炉压进行晶棒拉制；从等径第一预定长度拉制等径第二预定长度，根据预定速率降低炉压以使第一炉压降低至第二炉压；从等径第二预定长度以后，通过第二炉压进行晶棒拉制；以在晶体生长的过程中，随着晶体的生长，炉压阶段性降低，使得分凝出来的掺杂气体持续挥发，以使晶棒尾部的电阻率提高，进而轴向电阻率波动范围控制在±5%以内，满足高端半导体器件对衬底材料的苛刻要求。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息353条，此外企业还拥有行政许可25个。
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