真芯半导体取得半导体器件接触孔形成方法专利
创始人
2026-01-06 09:37:47
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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件”的专利，授权公告号CN114628315B，申请日期为2020年12月。
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来源：市场资讯
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