迈来芯申请生产具有磁通量集中器的半导体衬底及磁传感器设备方法专利，实现磁传感器性能提升
创始人
2026-01-06 16:09:58
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国家知识产权局信息显示，迈来芯电子科技有限公司申请一项名为“生产具有磁通量集中器的半导体衬底、以及磁传感器设备的方法”的专利，公开号CN121285255A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，用于生产半导体晶片的方法(100；200；1100；1700)，该半导体晶片具有：前侧(01)，包括至少一个磁传感器元件(M1)；和后侧(03)；以及互连堆叠(10)，该互连堆叠(10)包括至少一个接触区域(12)；该方法包括以下步骤：m)将载体晶片(41)安装(102)到前侧；b)使后侧变薄(103)；c)将至少一个磁集中器(31)提供到前侧；d)将至少一个磁集中器(32)提供到后侧。一种磁传感器设备，包括具有磁传感器元件的半导体衬底、被定位在该半导体衬底的相对侧上的前部IMC和后部IMC。
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来源：市场资讯
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