惠存半导体申请基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置专利，延长存储器使用寿命并提升系统稳定性_行业新闻

惠存半导体申请基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置专利，延长存储器使用寿命并提升系统稳定性

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2026-01-06 21:37:11

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国家知识产权局信息显示，深圳市惠存半导体有限公司申请一项名为“一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置”的专利，公开号CN121281596A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置，属于计算机数据存储技术领域，其包括获取待写入数据和设备工作负载参数，生成动态地址序列并结合存储器历史写操作数据计算倒序编程顺序，生成自适应倒序地址序列；获取实时电源状态信息，并基于自适应倒序地址序列配置Flash存储器的写参数，生成自适应写配置参数，执行自适应倒序写操作并进行写验证，生成写验证结果；根据写验证结果，更新存储管理信息。通过综合待写入数据、设备工作负载、存储器历史磨损及实时电源状态，以生成自适应倒序地址序列和自适应写配置参数，能够实现磨损均衡与可靠的数据写入，从而延长存储器使用寿命并提升系统稳定性。

天眼查资料显示，深圳市惠存半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市惠存半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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