国家知识产权局信息显示,海信视像科技股份有限公司申请一项名为“半导体外延结构及其制备方法”的专利,公开号CN121285115A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本申请的实施例公开了一种半导体外延结构及其制备方法,涉及半导体的技术领域。半导体外延结构包括衬底、缓冲层以及牺牲层。缓冲层层叠设置于衬底的一侧,牺牲层层叠设置于缓冲层远离衬底的一侧。牺牲层远离缓冲层的一侧用于承载发光芯片。其中,缓冲层的热导率沿衬底指向缓冲层的方向增大,且至少部分缓冲层的热导率大于发光芯片的热导率。在将发光芯片从半导体外延结构上剥离时,通常需要激光照射牺牲层以将牺牲层分解。激光产生的热量能够被引导至缓冲层的底层,减小热量对发光芯片和衬底造成的影响,降低热量导致发光芯片和衬底损坏的风险,实现对于热量的分散和管理,利于提高巨量转移过程的良率。
天眼查资料显示,海信视像科技股份有限公司,成立于1997年,位于青岛市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本130497.2254万人民币。通过天眼查大数据分析,海信视像科技股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标项目2696次,财产线索方面有商标信息122条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可53个。
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来源:市场资讯